Испытания электронных компонентов
На протяжении более 20 лет мы протестировали более 5000 компонентов различных технологий: от транзисторов к процессорам, от мощных МОП-транзисторов до ПЛИСов, от оптронов к микроконтроллерам.
Мы испытываем все виды радиационных эффектов: TID, SEE – тяжелые ионы, протоны, нейтроны – TNID, в соответствии со стандартами ECSS и MIL-STD.
Большинство наших специалистов имеет двойную компетентность – в области электроники и радиационных испытаний, что гарантирует оптимизацию затрат и качество обслуживания.
Накопленная доза – общая ионизирующая доза – может привести к ухудшению электрических и функциональных параметров электронных компонентов, вплоть до его разрушения. TRAD разрабатывает испытательные стенды для измерения электрических отклонений компонентов после различных стадий облучения с различными уровнями дозы в зависимости от использованной технологии.
Испытания на Одиночные Эффекты SEE проводятся засчёт ТЗЧ и Протонов. TRAD разрабатывает испытательные стенды для измерения скорости появления SEU (Single Event Upset MBU, MCU) Однократный восстанавливаемый сбой памяти, SET (Single Event Transient) Переходная ионизационная реакция, SEL (Single Event Latch up) Радиационное защёлкивание, SEFI (Single Event Functional Interrupt) Одиночный эффект функционального прерывания, и другие одиночные эффекты.
Наши испытательные установки:
- Универсальные тестеры SZ
- Тестеры µTest – MuTest
- Тестер Diamond D10
И установки для облучения:
- Источник Калифорний (Cf252)- VASCO
- Лаборатория гамма-излучений (Co60) – GAMRAY
- Импульсный лазер – YAG